Смотреть больше слов в «Политехническом русско-французском словаре»
полупроводниковый квантовый генератор, Лазер с полупроводниковым кристаллом в качестве рабочего вещества. В П. л., в отличие от лазеров др. тип... смотреть
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР, полупроводниковый квантовый генератор, лазер с полупроводниковым кристаллом в качестве рабочего вещества. В П. л., в отличие... смотреть
лазер на основе полупроводникового кристалла. В отличие от лазеров др. типов, в П. л. используются излучательные квант. переходы между разрешён... смотреть
лазер, в к-ром активной средой служат полупроводники (арсенид галлия GaAs, сульфид кадмия CdS, сульфид свинца PbS и др.) или их сплавы [(Ga, Al)As, GaA... смотреть
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР, лазер, активная среда которого - полупроводниковый кристалл. Полупроводниковый лазер имеет малые размеры (50 мкм - 1 мм), высокий кпд (до 50%), возможность спектральной перестройки. Полупроводниковый лазер генерирует излучение в диапазоне длин волн 0, 3-30 мкм. Наиболее распространенный способ накачки - инжекция носителей через гетеропереход (гетеролазер). Применяют в оптической связи и локации, оптоэлектронике и др.<br><br><br>... смотреть
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ лазер - лазер, активная среда которого - полупроводниковый кристалл. Полупроводниковый лазер имеет малые размеры (50 мкм - 1 мм), высокий кпд (до 50%), возможность спектральной перестройки. Полупроводниковый лазер генерирует излучение в диапазоне длин волн 0,3-30 мкм. Наиболее распространенный способ накачки - инжекция носителей через гетеропереход (гетеролазер). Применяют в оптической связи и локации, оптоэлектронике и др.<br>... смотреть
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР , лазер, активная среда которого - полупроводниковый кристалл. Полупроводниковый лазер имеет малые размеры (50 мкм - 1 мм), высокий кпд (до 50%), возможность спектральной перестройки. Полупроводниковый лазер генерирует излучение в диапазоне длин волн 0,3-30 мкм. Наиболее распространенный способ накачки - инжекция носителей через гетеропереход (гетеролазер). Применяют в оптической связи и локации, оптоэлектронике и др.... смотреть
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР, лазер, активная среда которого - полупроводниковый кристалл. Полупроводниковый лазер имеет малые размеры (50 мкм - 1 мм), высокий кпд (до 50%), возможность спектральной перестройки. Полупроводниковый лазер генерирует излучение в диапазоне длин волн 0,3-30 мкм. Наиболее распространенный способ накачки - инжекция носителей через гетеропереход (гетеролазер). Применяют в оптической связи и локации, оптоэлектронике и др.... смотреть
- лазер, активная среда которого -полупроводниковый кристалл. Полупроводниковый лазер имеет малые размеры(50 мкм - 1 мм), высокий кпд (до 50%), возможность спектральнойперестройки. Полупроводниковый лазер генерирует излучение в диапазоне длинволн 0,3-30 мкм. Наиболее распространенный способ накачки - инжекцияносителей через гетеропереход (гетеролазер). Применяют в оптической связии локации, оптоэлектронике и др.... смотреть
лазер, активная среда к-рого - полупроводн. кристалл. П. л. имеет малые размеры (длина резонатора 50 мкм - 1 мм), высокий кпд (до 50%), возможность спе... смотреть
semiconductor laser, photogenerator* * *semiconductor laser
laser a semiconduttore
semiconductor laser, junction laser, diode laser
photogenerator, diode laser, junction laser, semiconductor laser
semiconductor laser
Halbleiterlaser
Halbleiterlaser
diode laser, semiconductor laser
жартылай (шала) өткізгіш лазер
напівпровіднико́вий ла́зер
жартылайөткізгіштік лазер
laser à semi-conducteur
• polovodičový laser
Halbleiterlaser
transversely pumped semiconductor laser
longitudinally pumped semiconductor laser